绝缘栅PMOS的SUPREM—SEDAN联机模拟研究

本文分析及研究了作者对绝缘栅ＰＭＯＳ场效应结构所进行的ＳＵＰＲＥＭ—ＳＥＤＡＮ联机模拟．重点在衬底电阻率（掺杂浓度）与ＭＯＳ结构阈值电压之间的定量关系上得到了与实验完全一致的结果．同时，定量地描述了栅氧层中电离电荷的分布及其行为．揭示了上述效应的机理．     

SnO2@TiO2纳米粒子的光催化性能

以纳米SnO2·nH2O胶体粒子为基质,采用活性层包覆法制备出复合光催化剂SnO2@TiO2.用其对有机磷农药DDVP的稀释液进行降解,并用SEM、TEM、XRD、BET和XPS等手段进行了表征.结果表明:SnO2@TiO2粒径在12nm左右,比表面积为72.27m2g,由锐钛型TiO2与金红石型SnO2组成,光催化活性明显优于单一的SnO2、TiO2.其最佳用量为3.0gL,并且可重复使用.添加剂H2O2、Fe3+的最佳浓度分别为1.65mmolL和0.5mmolL.     

具有半导体导电特性的腈纶研究

研究了由二价铜盐、还原剂和硫化剂浴液处理法制备导电性腈纶的影响因素、实施方法、导电性腈纶的结构和性能，确定了适宜的工艺条件。研究表明：一浴法和二浴法处理的反应历程和处理结果基本相同，但还原剂、硫化剂的匹配及用量不同；导电化处理后腈给大分子排列的规整性略有下降，宏观形态及物理机械性能无明显变化；当纤维中Ｃｕ９Ｓ５含量达１２．５％时，质量比电阻下降至１０－１Ω·ｇ／ｃｍ２以下。纤维具有明显的半导体导电特性。     

半导体器件中的量子隧道效应

利用隧道效应器件的量子力学理论 ,说明了隧道效应电子在势垒区内部的行为 .     

半导体激光器行波速率方程的研究

考虑了ＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器的俄歇效应后，对描述稳态运行的半导体激光器的行波速率方程组进行了修正，求得了隐函形式的解析解，并以此对激光器的一些重要持性进行了讨论。     

NiAl基复合材料的研究进展

为了提高NiAl合金强度，改善NiAl合金塑性，在制备NiAl复合材料时，用不同的制备方法在NiAl合金中加入增强剂，如陶瓷或金属颗粒、晶须、短纤维和长纤维等制成复合材料，以不同的增强剂为基础总结了NiAl基复合材料研究在制备、结构、性能及机理等方面的最新进展。     

用扩展电阻法研究陶瓷微区电导性能

本文把扩展电阻法应用于陶瓷微区电导性能研究.建立了微区的定位标识系统,可精确、方便地对选定的微区进行电导性能及组分的重复测定.该方法在研究Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3、ZnO及BaTiO_3半导体瓷应用中得到有意义的结果.     

器件表面保护用有机硅漆导电机理的探讨

通过测量不同固化条件下高压硅器件用有机保护材料聚酯改性硅有机漆SP的电阻率随温度变化的规律,并借助于对经各种条件固化后SP的热重、差热分析、红外光谱分析,研讨了它的高温导电机理.实验结果表明,在一定的固化条件下,固化后的材料在高温时具有最高的电阻率,材料中离子输运最弱,并具有较佳微观结构,这时材料的固化温度是210℃.提出了SP的高温电导主要是含羟基的分子产生的本征离子电导的新观点,建立了SP的高温导电模型,并对电性能测量结果作出了新的解释.     

Preparation and optical properties of solid solution semiconductor (Zn x Cd1−x S) doped silica glasses

Semiconductor(Zn_xCd_1−x S) doped silica glasses were prepared by Sol-Gel process andin situ growth technique. The structure of the materials was characterized by X-ray diffraction technique, the particle size of semiconductor crystallites from X-ray patterns was estimated less than 10 nm. From absorption spectra, it is obtained that the absorption edges shifted to short wavelength direction when Zn contents increased, and the absorption edge can be adjusted from 2.46 eV to 2.96 eV by controlling Zn contents. The third-order nonlinear optical susceptibility was studied at 532 nm with 8 ns pulse laser by degenerate four wave mixing (DFWM) technique.